高纯度氨基金属化合物是各领域先进材料的关键！ (产品供销 - 工业产品)
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高纯度氨基金属化合物是各领域先进材料的关键！ | |
氨基金属化合物主要用作高k材料的前驱体，纯度可达5N。我们利用原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）等先进沉积技术，能够生产高介电常数的氮化合物、氧化物或单质金属。这些材料广泛应用于动态存储器、光伏电池、CMOS技术、电容器、晶体管、铁电存储器和高清显示技术。 让我们仔细看看两种氨基金属化合物： 五（二甲氨基）钽（CAS：19824-59-0）： 该化合物可作为氮化钽（TaN）的前驱体，具有优异的导电性。它可用于半导体器件的电极制造、后处理中的扩散阻挡层、光伏电池阴极的金属化，以及在45纳米以下CMOS工艺中用作金属栅极材料的前驱体。它也是动态随机存取存储器 (DRAM)、抗反射涂层、高温阻抗、气体传感器、电容器、高折射率低色散特种光学玻璃以及航空航天用高温特种陶瓷的关键材料。此外，它还能实现手性药物的选择性催化，并为酶催化反应提供额外的氧源，从而提高效率和稳定性。 四(二甲氨基)钛 (CAS: 3275-24-9)： TDMAT 是 ALD 和 CVD 领域的热门研究方向。它是 TiO2 的前体，而 TiO2 是 32nm 以下工艺的关键高 k 和金属栅极材料。TiO2 可用作 n 型半导体的电子传输层。当与其他化合物掺杂时，它表现出超高的介电常数和低介电损耗，使其成为制造随机动态存储器中电容器和小型器件的理想选择。 TDMAT 还可用于沉积 TiN/TiO2 纳米复合薄膜，该薄膜可用作牙科的阻挡层。使用 NH₃ 对 TDMAT 进行等离子体增强原子层沉积 (ALD) 可生成 TiN 纳米薄膜，从而抑制表面二次电子发射，并提升航天器及其部件在真空电子器件领域的性能。 这些氨基金属化合物应用范围广泛，从专用光学和陶瓷到催化和酶反应，它们促进了航空航天和制药等各行各业的进步。 | |
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